伦敦大学研究人员宣布,他们拿出了第一个纯粹基于氧化硅的电阻RAM(ReRAM)内存
芯片。该芯片可以在室温环境当中正常工作,因此可以用在未来超快内存上。
ReRAM内存芯片的基础材料,在施加电压情况下会改变电阻,使它们可以不需要电能就能
保存数据。这些芯片以更少的电力和空间消耗,带来比目前芯片大得多的存储空间。
伦敦大学电子和电气工程学院的研发人员表示,和目前闪存芯片相比,ReRAM内存芯片能
耗只有其千分之一,存储速度却要快上数百倍。
ReRAM室温运行特点,加上连续可变电阻特性,使其有巨大的潜在应用范围。研发人员表
示,不像其他研发中的氧化硅芯片,其设备不需要真空工作环境,因此更便宜,更耐用。
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