英国研发新型存储器：速度比闪存快百倍

  新华社伦敦5月19日电，英国研究人员最近报告说，他们研发出一种基于“电阻

性记忆体”的新型存储设备，与现在广泛使用的闪存相比，耗电量更低，而存取

速度要快上一百倍。

  电阻性记忆体的基础是忆阻材料，这种材料的特殊性在于，在外加电压时其电阻

会发生变化，随后即使取消外加电压，它也能“记住”这个电阻值。在此基础上开

发出的存储设备与现有闪存相比更快更节能，是业界近来的研发热点。但以前开

发出的这种存储设备只能在高度真空环境中运行。

  英国伦敦大学学院等机构研究人员日前在《应用物理学杂志》上报告说，他们

发现可用硅的氧化物制作一种新的忆阻材料，相应存储设备可在常规环境下运行

，因此应用价值大大提高。

  研究人员安东尼·凯尼恩说，这种新型存储设备的能耗只有闪存的约千分之一，

而其存取速度是闪存的一百倍以上。闪存现在已成为人们随身携带的U盘、数码

相机、手  机等设备中广泛使用的存储设备。

  据介绍，这项成果与科学史上许多发现一样都是源于意外。研究人员最开始是

在用硅氧化物制作发光二极管，但在实验过程中出了故障，发现所用材料的电学

性质变得不稳定了，检查之后发现它们电阻在变化，原因是已经变成了忆阻材料

，于是正好把它们转用于研发新型存储设备。